Láser Pulsado anclado en modos con absorbente saturable

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Láser Pulsado anclado en modos con absorbente saturable

Descargar ficha (TIC UAH 19):

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Sector Industrial:

  • Tecnologías de la Información y Comunicaciones

Investigador/es:

  • Fernando B. Naranjo Vega
  • Marco Jiménez Rodríguez

Departamento/s:

  • Electrónica

RESULTADOS DE LA INVESTIGACIÓN

Resumen:

El grupo de investigación Ingeniería fotónica de la UAH en colaboración con el CSIC, ofrece un láser pulsado anclado en modos cuyo resonador óptico comprende un absorbente saturable basado en nitruros de grupo III. El uso de este tipo de materiales como absorbente saturable permite alcanzar una elevada estabilidad y energía de emisión sin aumentar la complejidad del sistema.

Sus aplicaciones abarcan ámbitos tan diversos como la medicina, la industria, las comunicaciones ópticas y la investigación científica.  El grupo busca empresas en estos sectores para firmar acuerdos de cooperación técnica, acuerdos comerciales con asistencia técnica y acuerdos de licencia de patente.

Descripción:

Láser pulsado anclado en modos basado en un resonador con un medio de ganancia óptica y un absorbente saturable, en el que el absorbente saturable comprende al menos un nitruro del grupo III.

El nitruro de grupo III se selecciona de entre uno de los siguientes subgrupos, pudiendo comprender elementos de varios subgrupos con el fin de configurar la longitud de onda y potencia de emisión del dispositivo:

  • Compuestos binarios: nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AIN) o nitruro de indio (InM).
  • Compuestos ternarios de nitruro de galio y nitruro de indio, como por ejemplo el InGaN.
  • Compuestos ternarios de nitruro de galio y nitruro de aluminio, como por ejemplo el AlGaN.
  • Compuestos ternarios de nitruro de aluminio y nitruro de indio como por ejemplo AlInN.
  • Compuestos cuaternarios de nitruro de galio, nitruro de aluminio y nitruro de indio, como por ejemplo AlInGaN.

La longitud de onda de emisión del láser pulsado está comprendida en un rango comprendido entre 450nm y 5µm. Es decir, el resonador y el absorbente saturable están configurados para generar radiación electromagnética centrada en cualquier longitud de onda comprendida entre el espectro visible, el espectro infrarrojo cercano y el espectro infrarrojo medio.

En lo referente al formato del absorbente saturable dentro del resonador, se contemplan varias opciones:

  • Un medio monolítico, lo que permite el acceso a distintas configuraciones espaciales para la interacción de la radiación y el absorbente saturable.
  • Una lámina delgada, lo que permite su desarrollo sobre substratos adecuados y con distintas técnicas de depósito.
  • Una guía de onda, para facilitar la integración del absorbente en estructuras complejas así como el acceso a distintos planos de incidencia cuando el absorbente está depositado en forma de lámina delgada.
  • Una heteroestructura que comprende pozos cuánticos, puntos cuánticos y/o hilos cuánticos para optimizar y controlar su tiempo de respuesta y su respuesta óptica no lineal.

En cuanto a la disposición de los elementos dentro del resonador, se contemplan dos geometrías preferentes:

  • Un resonador en anillo: la radiación laser actúa una única vez como el absorbente saturable en un recorrido completo por el resonador.
  • El resonador en uno o más elementos reflectantes: la radiación laser interactúa dos veces con el absorbente saturable en un recorrido completo por el resonador.

También preferentemente, el resonador puede ser un resonador sin medios de acondicionamiento de polarización. Es decir, el uso de algunos nitruros del grupo III, como por ejemplo aquellos basados en InN/InGaN o InN monolítico, permite operar independientemente de la polarización de las señales propagadas por el resonador simplificado notablemente el diseño y control del mismo.

Aspectos Innovadores:

Se trata de una utilización de nitruros de grupo III totalmente novedosa en el ámbito general. Particularmente relacionado con el desarrollo de láser, introduce como absorbentes saturables materiales compuestos de nitruros de grupo III, que permiten alcanzar una elevada estabilidad y energía de emisión sin aumentar la complejidad del sistema.

No se ha encontrado nada igual en bases de datos de patentes, ni en la bibliografía científica consultada.

Palabras Clave:

  • Láser
  • absorbente
  • absorbedor saturable
  • anclado
  • anclaje en modos
  • resonador
  • nitruro de galio
  • indio
  • aluminio.

Disciplinas Científicas:

  • Medioambiente y prevención de riesgos
  • Tecnologías de la Información y las Telecomunicaciones

Grado Desarrollo del resultado de investigación

  • En fase de desarrollo

Fuente de financiación de la investigación

  • Proyecto Europeo
  • Proyecto Nacional

ASPECTOS COMERCIALES

Ventajas competitivas:

El láser anclado en modos descrito proporciona una elevada potencia de pico, energía por pulso, estabilidad y rango de operación sin incrementar la complejidad del sistema. Asimismo, permite operar independientemente de la polarización, simplificando notablemente el diseño y el control del dispositivo.

Desarrollo con costes razonables y posibilidad de distribución en el mercado internacional: EE.UU, Europa y Japón.

Estado de la propiedad industrial e intelectual

  • Patente solicitada

Comentarios:

La patente ha sido solicitada a la Oficina Española de Patentes y Marcas con fecha 6 de junio de 2016 y número de solicitud P201600461.

Tipo Colaboración

  • Acuerdo comercial con asistencia técnica
  • Acuerdo de licencia
  • Cooperación técnica

Comentarios:

El grupo busca empresas de los sectores TIC, sanitario e industrial o cualquier compañía que fabrique lasers anclados en modos en fibra óptica, para firmar acuerdos de cooperación técnica, acuerdos comerciales con asistencia técnica y acuerdos de licencia de patente.

Información Adicional:

Oficina de Transferencia de Resultados de Investigación (OTRI)

Oficina Campus Ciudad
Colegio de León
C/ Libreros, nº 21 - 28801 Alcalá de Henares Madrid

Teléfono:91 885 4561

Correo electrónico:  otriuah@uah.es;

  Oficina Campus Universitario
Escuela Politécnica Superior.
Ctra. Madrid-Barcelona, Km. 33,600 – 28805 Alcalá de Henares, Madrid